随着cmos技术的迅猛发展，cmos图像传感器以其高集成度、低功耗、低成本等优点，已广泛用于超微型数码相机、手机等图像采集的领域。而流水线模数转换器以其高速、低功耗、中高精度而被广泛应用于图像传感器的芯片级和列级a／d转换器中。当前，流水线a／d转换器比较成熟的国际水平已达到14bit10mhz。国内已流片成功的大多数是10bit流水线a／d转换器，因此10bit以上的高精度流水线a／d转换器还需要进一步研究。在a／d转换器中，采样保持电路作为其前端最关键的模块，它的性能直接决定了整个adc的性能。
本文采用一种全差分电荷转移型结构的采样保持电路，这种结构可以很好地消除与输入信号无关的电荷注入和时钟馈通；通过底极板采样技术，消除与输入信号相关的电荷注入和时钟馈通；使用栅压自举电路来消除开关的非线性。同时采用折叠式增益增强运算放大器，减小由于有限增益和不完全建立带来的误差。该采样保持电路在5v电源电压，20ms／s采样频率下，在输入信号为奈奎斯特频率时，无杂散动态范围(sfdr)为76db，采样精度达到0.012％，满足12bit精度要求。
1采样保持电路
图1为本文设计的采样保持电路结构，该结构称为电荷转移型采样保持电路。
它的工作时序如图2所示，clk1和clk2是两相不交叠时钟，控制采样保持电路分别工作于采样相和保持相；clkb为clkl的反相。当clk1为高电平时，电路进入采样相，运放两个输入端被短路，输入信号存储在采样电容cs上；clk2为高电平时，电路进入保持相，将差分电荷转移到反馈电容cf上。
在从采样相向保持相转变的过程中，clklpp，clklp，clkl依次关断，实现了底极板采样，以减少开关时钟馈通和沟道电荷注入的影响；且只有差分电荷转移到反馈电容cf上，共模电荷一直保存在采样电容cs上。因此，这种结构可以处理共模范围较大的输入信号。
2采样电容、开关的选取和设计
2.1采样电容的选取
在采样保持电路中，采样电容的取值对电路的性能有直接的影响。采样电容越小，热噪声就大，因为热噪声主要由电路中的开关导通电阻产生，其方差是开关电容值的函数(σ2thermal≈kt／c，其中k为波尔兹曼常量，t为绝对温度)，则电路的信噪比(snr)就降低。如果采样电容较大，会使电路的功耗增大，速度变慢，而此时信噪比主要受量化噪声的限制，没有明显改善。因此在设计时，把噪声限制在一定范围之内，得到电容的最小值，再牺牲一些功耗和速度，取稍大电容值即可。本文所设计的adc具有12bit分辨率，量化范围为±1v。如果要求由热噪声与量化噪声所引起的snr最多能下降1db，即需满足：kt／cs0.8pf，取cs=cf=1pf。
2.2采样开关的设计
2.2.1开关类型的选取
在采样保持电路中，开关的性能对电路有着非常重要的影响。因此对于图1中的开关作了详细设计。在电路设计时，考虑到性能和功耗的优化，在对性能没有明显影响时，尽可能采用简单电路，否则以性能为主。图1中sw2和sw3处的开关主要用于连接到共模参考电压，短接输入端，短接输出端，对其性能要求不是很高，故采用简单的nmos开关和cmos互补型开关。在swl处由于采样开关线性度对电路采样相的线性性能影响最大，如果用一个简单的nmos开关，当输入信号电压变化时，其导通电阻也随之变化，这在实际工作中会引起较大的误差。而cmos开关其导通电阻虽有所减小，但随输入信号的变化，其栅-源电压会随之改变，因此信号仍有失真，所以本文采用了一种线性度更好的栅压自举开关。
2.2.2开关参数设计
由于小尺寸的开关会带来大的导通电阻，严重影响电路的速度，而大尺寸的开关则会引入非常大的馈通电容，对前级造成明显的影响。在本电路中，nmos开关的w／l为12／1时仿真性能最好；对于cmos互补型开关，其导通电阻的线性度受p管和n管的宽长比比例影响。所以要对管子的宽长比进行优化。经过仿真发现，在本电路中，当pmos和nmos的宽度比为2.8／1时，导通电阻ron在整个工作范围内变化最小，线性度最好。栅压自举开关的电路结构如图3所示。它由时钟倍增电路、传输管和栅-源电压控制电路组成。由于传输管m1的栅-源电压vgs恒定为vdd，因此自举开关的导通电阻ron较小，且基本恒定，线性度较好。图4为输入正弦信号时，开关传输管m1的vgs仿真波形，从图中可以看出，其vgs基本不变，由于受m1栅上的寄生电容的影响，栅源电压略小于vdd。