用基于原子层控制异质外延技术，在硅基上实现了*面层外延生长，制备出高介电常数的铝酸镧薄膜，铝酸镧(laalo3)晶体衬底，降低了超薄高介电常数薄膜漏电流，解决了下一代场效应器件的关键技术之一。铝酸镧晶体具有钙铁矿型结构.在温度大约为800k时，该结构经历了一个从立方到三角的相变，对于晶体中的顺磁离子，相变会引起一些能级的分裂，并发生erpg因子从各向同性到各向异性的转变。
铝酸镧有一定的活性，热稳定性好，被广泛的应用于催化材料，衬底材料，高温超导薄膜基片，合成微波介质陶瓷材料，高温燃料电池，微波介电谐振器等方面。铝酸镧（laalo3）单晶的应用，取决于大尺寸铝酸镧（laalo3）晶体生长。在这些方法中燃烧法具有明显的优势。铝酸镧（laalo3）在常温下结构的空间群为r3c，晶格参数为a=0.5357nm和a=60°6′。
铝酸镧有一定的活性，热稳定性好，被广泛的应用于催化材料，衬底材料，高温超导薄膜基片，合成微波介质陶瓷材料，高温燃料电池，微波介电谐振器等方面。铝酸镧有望代替二氧化硅，用来作为金属氧化物半导体场效应管器件新的栅介质，使半导体工业在器件尺寸缩小到纳米及以下时，继续遵从“摩尔定律”。铝酸镧（laalo3）晶体由于与超导、铁电、锰氧化物巨磁电阻等材料具有良好的晶格匹配性能，且界面层中原子不易和其他材料发生界面反应而被广泛地用作生长外延薄膜的衬底材料。
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