从结构上看，无线充电发射端芯片主要由驱动芯片、mos芯片和主芯片三部分组成。单片机方案下，数字电位器芯片经销商，控制芯片、驱动芯片、运放全部*，外围元件也相当多，总而言之，非常复杂，元器件太多。原材料品种繁多，数字电位器芯片有哪些，生产试验流程复杂，不利于产品的快速开发、生产和销售。
即systemonachip，数字电位器芯片厂，它是指在一块芯片上集成一个完整系统。当前对soc方案的一些比较常见的定义是：soc即主控制和驱动集成。但是也有声音表示这种说法并不准确，主控、驱动、mos完整集合才是*的soc。以下是soc的定义，暂且先以种表述为准。
igbt的驱动电路特点（一）
igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双*型晶体管，是由bjt(双*型三*管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有mosfet的高输入阻*和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
输出特性与转移特性：
igbt的伏安特性是指以栅*电压vge为参变量时，集电*电流ic与集电*电压vce之间的关系曲线。igbt的伏安特性与bjt的输出特性相似，也可分为饱和区i、放大区ii和击穿区iii三部分。igbt作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。igbt的转移特性是指集电*输出电流ic与栅*电压之间的关系曲线。它与mosfet的转移特性相同，当栅*电压vge小于开启电压vge(th)时，igbt处于关断状态。在igbt导通后的大部分集电*电流范围内，ic与vge呈线性关系。
igbt与mosfet的对比：
mosfet全称功率场效应晶体管。它的三个*分别是源*(s)、漏*(d)和栅*(g)。
主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
led驱动电源是否一定要用(mosfet器件)mos管应从产品性价比、系统来散热（包括电源本身和灯具）几方面考虑，并不一定要求led电源要用mos管：
1、从散源热角度考虑：led驱动电源和led灯珠既是热源体又是受热体，根据多年设计经验，我们赛明源电源在设计30w以上电源时全部使用mos管与控制ic分离方案。因为百，就现有技术（截止2015年）内置mos管方案超过30w以上电源散热就是问题，数字电位器芯片，系统很难保证其稳定性；
2、从度性价比上考虑：在设计30w以下led电源时，赛明知源电源有些采用内置mos管方案道，因为这种方案已经成熟，散热不是问题，系统稳定性较高。小功率led电源可以不用考虑使用mos，再说内置mos方案emc指标很容易通过。