首先，让我们来了解一下mosfet和三极管的结构。mosfet由源、栅和漏构成，其中栅通过氧化层与通道之间隔离。三极管具有发射极、基极和集电极，发射极和集电极之间是基极。这两种器件的结构差异决定了它们在on状态下的特性差异。
在on状态下，mosfet和三极管的关键差异是电流的控制和功率损耗。mosfet通过控制栅电压来控制漏极电流，而三极管则通过控制基极电流来控制集电极电流。由于mosfet的栅电流非常小，几乎可以忽略不计，因此功率损耗也较小。相比之下，三极管的基极电流较大，因此导致较大的功率损耗。
这种差异在低功率应用中尤为明显。举例来说，考虑一个需要控制电流的led灯电路。如果使用mosfet，则可以通过调整栅电压来控制led的亮度，功耗较低。然而，如果使用三极管，则需要在电路中添加一个电阻来限制基极电流，这会导致额外的功耗。
另一个重要的区别是速度和频率响应。mosfet由于栅氧化层的存在，具有较高的输入阻抗和响应速度，可以实现更高的频率响应。这使得mosfet非常适用于高频应用，例如无线通信和射频电路。相比之下，三极管的频率响应较低，速度较慢，因此在高频率应用中的效果较差。
以放大器为例，使用mosfet或三极管来放大信号。当需要放大高频信号时，mosfet能够更好地保持信号的准确性和完整性，而三极管可能会引入一些畸变。然而，当放大低频信号时，使用三极管可能更合适，因为它在这方面的性能更好。
此外，在散热和电压要求方面，mosfet和三极管也存在一些差异。由于mosfet的漏极电流较小，因此散热要求也相对较低。而三极管由于基极电流较大，需要更好的散热措施来避免过热。此外，mosfet对电压的要求较低，一般工作于几伏至几十伏的范围内，而三极管的工作电压一般较高。
综上所述，mosfet和三极管在on状态下存在着许多区别。mosfet通过控制栅电压实现电流控制，功率损耗小，速度快，适用于高频应用。而三极管通过控制基极电流实现电流控制，功率损耗较大，速度较慢，适用于低功率应用。此外，散热和电压要求也存在一些差异。了解这些区别有助于在不同的应用场景中选择适当的器件，以提高电路的性能和效率。