首先来看pmos，它适合作为高端驱动。pmos具有一对嵌套的pn结（p型和n型）结构，其中n型区域被封装在p型基底中。当栅极上的电压为负值时，p型基底被正向偏置，使pn结处于导通状态，电流从源极流向漏极。因此，pmos在栅极电压为低电平时导通，适合用作“开关”，用于高端驱动。
在高端驱动中，通常需要较高的驱动电流和较小的功耗。由于pmos的结构特点，它通常具有较大的导通电阻，较慢的开关速度和较高的功耗。但是，它具有极好的抑制电流的特性，能够有效地控制源极电流在一定范围内。因此，在高端驱动中，pmos常用于需要被控制的电路，如模拟开关和电源开关。
相比之下，nmos适合作为低端驱动。nmos具有p型基底和嵌套其中的n型区域，当栅极电压为正值时，使得nmos导通，电流从源极流向漏极。nmos的导通方式与pmos相反，它在栅极电压为高电平时导通。因此，nmos适合用作低端驱动器。
在低端驱动中，一般需要较小的驱动电流和较快的开关速度。nmos具有较小的导通电阻，较快的开关速度和较低的功耗。但是，nmos的漏电流相对较大，需要额外电流补偿电路来降低功耗。因此，在低端驱动中，nmos常用于需要高速开关和较低功耗的电路。
举例说明，在一个逻辑电路中，假设有一个需要控制的开关。如果我们使用pmos作为高端驱动，它可以控制开关的导通和断开。当栅极电压为低电平时，pmos导通，电流经过pmos，使得开关闭合；当栅极电压为高电平时，pmos截断，电流无法通过pmos，开关断开。通过控制栅极电压，可以实现对开关的准确控制。
而如果我们使用nmos作为低端驱动，它可以实现相同的功能。当栅极电压为高电平时，nmos导通，电流经过nmos，使得开关闭合；当栅极电压为低电平时，nmos截断，电流无法通过nmos，开关断开。同样地，通过控制栅极电压，可以实现对开关的准确定位。
综上所述，pmos适合作为高端驱动，而nmos适合作为低端驱动。需要注意的是，适用性并非绝对，还要根据具体应用场景和需求来选择合适的场效应晶体管类型。不管是pmos还是nmos，它们都在电子设备和集成电路中发挥着重要的作用，为各种电子产品的设计和制造提供了可靠的基础。