半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的lfpak56 (power-so8)封装的p沟道mosfet系列产品。新器件符合aec-q101标准，适合汽车应用，可作为dpak mosfet的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。  新系列产品在30 v至60 v工作电压范围内可供选择，导通电阻rds(on)低至10 mω (30 v)。
lfpak封装采用铜夹片结构，由nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。事实证明，该封装的可靠性远高于aec标准要求，超出关键可靠性测试指标2倍，同时独特的封装结构还提高了板级可靠性。  以前只有n沟道器件才采用lfpak封装。现在，由于工业需求，nexperia扩展了lfpak56产品系列，将p沟道器件也囊括在内。
nexperia产品经理malte struck评论道：“新款p沟道mosfet面向极性反接保护；作为高边开关，用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用。它们也适用于5g基站等工业应用场景。”
采用lfpak56封装的p沟道mosfet现已上市。
编辑：muyan来源：eeworld

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