简单介绍：
真空磁控溅射镀膜系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶（三个靶）、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。广泛应用于科研院所，实验室制备单层或多层薄膜，以及新材料新工艺研究。
详情介绍：
真空磁控溅射镀膜系统设备用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
技术参数：
真空室
圆筒型前开门结构，尺寸ø450×40mm
真空系统配置
复合分子泵、机械泵、气动闸板阀、进口smc气缸节流阀
极限压力
≤6.6 *10-6 pa。（经烘烤除气后）
恢复真空时间
25 分钟可达到≤6.6×10-6 pa。（短时间撰兹大气并充入干燥氮气后开始抽气）
磁控靶组件
永磁靶三套；靶材尺寸ø60mm（其中一个可溅射磁性材料）；各靶射频滩射和直流裁射兼容；靶内水冷；三个靶可共同折向上面的样品中心；靶与样品距离 90~130mm可调；每个靶配进口 smc 旋转气动挡板
单基片加热台
样品尺寸
ø4英寸
运动方式
基片可连续回转，转速 0－30 转/分
加热
进口加热丝加热，zui高加热温度 600℃ ±1℃
挡板形式
进口 smc 转角气缸控制
气路系统
质 量 流 量 控制器 2 路
计算机控制系统
采用 plc ＋工控机＋触摸屏全自动控制方式
可选配件
膜厚仪、气泵、水冷循环机
设备占地面积
主机
i000×1800mm2
电控柜
900×600mm2

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