光电探测器综合介绍
单通道光电探测器,探测范围覆盖了紫外-可见光-红外（uv-visible-ir）的宽波段范围。常温型线阵ccd、背感光科研级面阵ccd以及ingaas线性阵列探测器。
光电倍增管探测器
高灵敏型蓝敏、红敏光电倍增管，使用范围：185nm~900nm；
硅光电探测器dsi系列
高灵敏型硅、紫外增强型硅光电探测器，使用范围：200~1100nm；
铟镓砷探测器dingaas系列
常温及te制冷型近红外探测器，使用范围：0.8~2.4μm；
硫化铅探测器
常温近红外探测器，使用范围：0.8~3.2μm；
砷化铟探测器--inas系列
———近红外探测器 波长范围：1-3.8μm
锑化铟探测器--insb系列
液氮制冷型红外探测器，使用范围：1~5.5μm；
（hgcdte）碲镉汞探测器
制冷型（液氮制冷）红外探测器，使用范围：1~22μm。
热释电探测器（pyroelectric）
———常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um
前置放大器
卓立汉光提供多种低噪声、高增益的跨导放大器配合单通道探测器使用。
常温型线阵ccd 探测器(2048/3000像素)
美国ames photonicsinc.公司常温型线性阵列ccd探测器，该产品采用该公司的专利技术暗噪声温度补偿修正（tcdctm），可在15～30℃任意室温下非常有效的抑制暗噪声，得到高信噪比的信号；
常温型线阵ccd 探测器(3648像素)
美国ames photonicsinc.公司常温型线性阵列ccd探测器，该产品采用该公司的专利技术暗噪声温度补偿修正（tcdctm），可在15～30℃任意室温下非常有效的抑制暗噪声，得到高信噪比的信号；
背感光制冷型ccd探测器
◆ 光谱响应范围：300-1000nm ◆ 采用andortm公司ultravactm真空封装技术 ◆ andortmidus系列dv-420a-bv型，选用科研级背感光ccd芯片
制冷型ingaas线性阵列探测器
ingaas有效像元数256和512可选;像元尺寸：50µm×500µm;像元间距：50µm;芯片采用te制冷方式

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