一、半导体管图示仪yb6600特点 1.  基于计算机显示 2. 多种器件的多种曲线3.  数据点是可控的 4.  增量可以是线性或对数 5. 可控的关断时间，以减小器件发热6.  可保存和调用曲线程序 7.  保存和调用先前捕获的曲线图片 8. 完全自动存储数据到excel9.  预置最大电压和最大电流限制防止器件损坏和发热 10. 存储/调用测试程序 11.多样的连续曲线 12.在测试程序中的电流限制 13. 使用方便 ①选择曲线  ②输入范围  ③按下启动14.使用高速ate系统生成曲线 二、半导体管图示仪yb6600范围 电压     2000v      20v 电流     50a(100a可选)      10a分辨率      1mv     0.1na      0.1毫欧的导通电阻三、半导体管图示仪yb6600可实现曲线1、mosfet（n-channel＆p-channel）（金属-氧化物-半导体场效应管） id vs vds (在vgs范围内)id vs vgs (在一个固定的id) isvs vsd rds vs vgs (在一个固定的vds) rds vs id(在vgs范围内) 2、transisitor（晶体管）hfe vs ic bvce(o.s.r.v) vs ic bvebo vsie bvcbo vs icvce(sat）(在一定的ic/ib比率) vce(sat) vs ib（在ic的范围内）vbe(sat) vs ib(在一定的ic/ib比率) vbe(on) vs ic (在一定的vce)3、igbt（n-channel＆p-channel）（绝缘栅双极晶体管） ic vs vce (在vge范围内) ic vsvge (在一定的vce) ices vsvce if vs vf 4、diode (二极管) if vs vf ir vs vr5、zener (稳压管) if vs vfir vs vr 6、triac (双向可控硅) it vs vt(+/-) (在一个固定的ig) 7、scr(单项可控硅) it vs vtm (在一个固定的ig) 8、ssvop（固态过压保护器） itvs vt(+/-) (在一个固定的ibo) 9、sidac（高压触发二极管） it vs vt(+/-) (在一个固定的ibo)10、diac(双向触发二极管) id vs vf(+/-) 11、regulator(稳压器)electronic load vsv out(在一个固定最大电流) 12、j-fet(（n-channel＆p-channel）) (结型场效应管) id(off)vs vds(在vgs范围内) id(off) vsvgs（在一个固定的vds） id(on) vs vds(在vgs范围内)id(on) vs vgs（在一个固定的vds）13、curve tracer modeonly(曲线跟踪模式)       icvsvce（在一个固定的ib）半导体管图示仪yb6600测试举例：

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