芯片采用全周期电流采样技术，可获得超高精度的恒流输出，且输入和负载调整率表现优异。同时，芯片采用了准谐振的工作模式，加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。此外，此系列产品可以提供控制器和集成不同类型功率器件的产品供设计选择，使得适用范围更宽、系统设计也更加灵活。
芯片特点
f 90v~300vac宽电压输入
f 集成高压启动和自供电电路
f 全电压功率因数大于0.9
f 超快启动时间 小于50ms
f 输入及负载调整率小于±1%
f 集成高压500v功率mosfet：kp106xc
f 集成高压650v功率mosfet：kp106x
f 准谐振模式、高效率工作
f 超低工作电流
f 集成软驱动电路，优化emi
f fb电阻网络可实现灵敏的消磁检测及过压保护
f 逐周期电流限制（ocp）
f 过热功率补偿（otp）
f 单绕组电感设计，无需辅助绕组
f 外围器件少，架构简单，低成本