- 品牌：KIA
- 型号：KIA KIA10N120V1
- 种类：结型(JFET)
- 沟道类型：N沟道
- 导电方式：耗尽型
- 用途：A/宽频带放大
- 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
- 材料：ALGaAS铝镓砷
mos管 公司简介
kia半导体是国家级高新技术企业专注于功率半导体技术开发，2007年在韩国浦项工科大学（nint）内拥有专业跨国合作的设计研发团队和8英寸vd-mos晶圆厂。成功完成mosfet产品的设计和生产定型，大幅度降低了产品的rds（on），并率先将该类型产品在中国市场推出，产品的相关测试数据均达到欧美同类产品，拥有更高的性价比。通过十几年持之以恒、以品质说话的理念在场效应管（mosfet）上已经发展成为市场上拥有最齐全型号的生产厂家之一
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深圳市可易亚半导体科技有限公司
邹先生
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