led芯片的制造流程是怎样的？
　　led芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，t166投影灯泡，其主要在1.33×10？4pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的p型接触金属包括aube、auzn等合金，n面的接触金属常采用augeni合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在h2或n2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，xgph800x投影灯泡，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
红光(r)抑制节间伸长，促进横向分枝和分蘖，延迟花分化，杞县投影灯，增加花色素苷、叶绿素和类胡萝卜素。红光可以引起拟南芥根系的正向光性运动。红光在植物对生物和非生物胁迫的抗性上具有积极作用。
　　远红光(fr)在许多情况下可以抵消红光效应。低r/fr比值导致菜豆光合能力降低。在生长室内以白色荧光灯为主要光源、用leds补充远红辐射(发射峰734nm)使花色素苷、类胡萝卜素和叶绿素含量降低，而使植株鲜重、干重、茎长、叶长和叶宽增加。补加fr对生长的促进作用可能是由于叶面积增加而导致的对光吸收的增加。低r/fr条件下生长的拟南芥比高r/fr下生长的植物叶片大而厚、生物质数量大，冷适应能力强。不同比例的r/fr还可以改变植物的抗盐性。
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