产品参数
标准包装:5,000 
fet 型:mosfet n-channel, metal oxide 
fet特点:logic level gate 
漏极至源极电压(vdss):30v 
电流-连续漏极(编号)@ 25°c:21a 
rds(最大)@ id,vgs:4 mohm @ 20a, 10v 
vgs(th)(最大)@ id :2.2v @ 250μa 
栅极电荷(qg)@ vgs: 45nc @ 10v 
输入电容(ciss)@ vds:1540pf @ 15v 
功率 - 最大: 3.1w 
安装类型:  surface mount 
包/盒:8-smd
供应商器件封装:8-dfn-ep (3x3) 
包装材料:tape & reel (tr)
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