P沟道增强型MOSFET PW2337

2026/3/27 2:05:38发布11次查看

一般说明
pw2337采用先进的沟道技术，提供优秀的rds（on），低栅电荷栅极电压低至4.5v，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
vds=-100v，id=-0.9a rds（on）<650mω@vgs=-10v 提供3针sot23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源

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