些硅温度传感器的工作原理是：当两个相同的晶体管在集电*电流密度比恒定的情况下工作时，传感器探头订做，它们的基*一发射*电压差仅与温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二*管接法的晶体管的基*一发射*电压vbe的行为，此vbe随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定，为-2mv/℃，传感器探头，但是对于不同的晶体管，vbe变化的绝dui值也不同。为了补偿这种变化，可以在不同的ie值下比较δvbe。
数字温度传感器的精度随着温度范围的变化而变化。用于0~70℃数字温度传感器，可以达到±0.5℃的精度。用于在更宽的温度范围内封装传感器配件，如-55~175℃，在130~150℃内的典型精度为±1℃；外露管芯在150~175℃内的典型精度为±1.5℃。封装和温度范围的选择取决于传感器的使用方式，应用、消费类应用和仪器仪表应用可能仅需要0~70℃的温度范围。
体温传感器技术研究现状
在体温测量领域，传感器探头工厂，集成温度传感器和ntc热敏电阻相比于其他的温度传感器具有体积小、灵敏度高和响应时间快的优点，传感器探头价格，均是作为可穿戴式电子体温计感温元件的良好选择。
集成温度传感器广泛的应用于各个领域，例如食品监测、无源无线网络以及其他热管理装置。cmos工艺下的集成温度传感器由于具有易于与其他电路集成、成本低、体积小以及功耗低等优点正越来越受到大家的青睐。近几年来，己陆续有cmos温度传感器应用于*体温测量的研究和报道。尽管如此，集成cmos温度传感器并未广泛的应用于电子体温计，这主要是因为集成温度传感器的温度测量精度不容易达到电子体温计的行业标准。
硅衬底工艺下的半导体集成电路中的感温器件主要包括集成电阻、mos晶体管、双*性晶体管、二*管以及cmos工艺下的寄生双*性晶体管等。研究证明，双*性晶体管是集成电路技术中理想的温度传感器单元，但双*性工艺难以实现数字接口而bicmos技术成本又很高，而cmos工艺易于实现数字和模拟电路的集成，在集成电路设计中占主导地位，因此大多数设计通常采用cmos。工艺下的纵向寄生pnp晶体管作为集成温度传感器的感温传感器配件。由于cmos工艺下纵向寄生双*型晶体管自身的物理特性受工艺偏差等因素的影响，cmos温度传感器的精度一直是其设计的难点。cmos工艺下的集成温度传感器的精度主要受纵向寄生pnp晶体管的电流增益变化、器件失配、机械应力以及工艺偏差等的影响。要实现的温度测量，须采用有效的误差消除技术和适当的校准技术。目前国内外报道的误差消除技术主要包括动态匹配技术(dynamic-element-matching，dem)、斩波技术、非线性的二阶曲率补偿等，校准技术主要分为晶圆级的校准、封装进传感器外壳后的校准以及校准。
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