配置
测试范围
测试参数
条件
范围
电压1000v
igbt
绝缘栅极双极型晶体管
eas/单脉冲雪崩能量
vce
20v~4500v
20v~100v±3%±1v
100v~1000v±3%±5v
1000v~4500v±3%±10v
电流200a
mosfets
mos场效应管
ear/重复脉冲雪崩能量
ic
1ma~200a
1ma~100ma±3%±0.1ma
100ma~2a±3%±5ma
2a~200a±3%±50ma
diodes
二极管
ias/脉冲雪崩电流
pas/单脉冲雪崩功率
ea
1j~2000j
1j~100j±3%±1j
100j~500j±3%±5j
500j~2000j±3%±10j
ic(检测）
50mv/a(取决于传感器）
感性负载
10mh、20mh、40mh、80mh、100mh
重复间隙时间
1~60s可调（进步is）重复次数：1~50次