定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温tj为绝对最大额定值限定的温度(tj＝150°c)时的功率。
計算方法
这里，pc、ta、△tx、px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有tj不能直接得出。因此，如下列出使用vbe的测试方法。
vbe测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压：vbe根据温度变化。
由此，通过测定vbe，可以推测结温。
通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：pc(max)。
(假设1w晶体管的情况下，输入条件为vcb=10v ie=100ma)
测定vbe的初始值vbe1
对晶体管输入功率，使pn结热饱和
vbe的后续值：测定vbe2
从这个结果得出△vbe=vbe2-vbe1。
这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mv/ºc。
（达林顿晶体管为ー4.4mv/ºc）
因此，根据由输入功率得出△vbe，可以由以下算式得出上升的结温。