英格尔硅晶圆金属污染监测常用的分析技术是和vpd-icp-ms。英格尔根据仪器类型、分析方法等实际情况，制定了相应的硅晶圆金属污染监测方案。
硅晶圆金属污染监测方案
英格尔txrf与vpd-icp-ms检测下限比较
txrf是高通量分析的理想选择，因其测量原理基于电子束与硅晶圆表面的相互作用，*任何化学前处理。该技术允许在自动模式下快速分析常规元素和贵金属元素，并可使用映射（mapping）功能定位晶圆表面的局部污染。然而txrf的检测下限（low limit detection，lld）较高，约1e9~1e11atoms/cm2。
txrf的检测下限比较
不过vpd-icp-ms的检测下限差别较大。由于vpd技术基于化学原理且技术路线不同，icp-ms检测下限计算方法也不相同（表2）。
英格尔vpd-icp-ms 技术细节及检测下限测定
显示vpd-icp-ms的检测下限在1e6~5e9atoms/cm2，比txrf要低的多。不过vpd-icp-ms检测下限受到技术细节和实验环境差异影响。操作人员必须将装有扫描液的瓶子手工转移至icp-ms/ms（agilent），且样品瓶在收集前需人工清洗，以上步骤都会导致na，mg和ca污染可能性增加。洁净室确保易沾污元素的检测下限仍**1e10atoms/cm2，若能够使用全自动vpd则检测下限还会有所改善。
vpd-icp-ms的检测下限比较（表面）
关于vpd金属污染，英格尔检测将进行专业的技术分析。首先硅晶圆表面污染技术vpd-icp-ms，英格尔通过多种化学溶液进行贵金属元素与晶圆常规元素，进行无映射功能。英格尔vpd硅片晶圆表面污染技术可帮助企业进行元素提高了解下限，通过专业手段检测分析元素的较低浓度，同时将金属污染控制到关键的低浓度水平，为企业提供一站式vpd硅晶圆金属污染检测服务。
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