一、设备简介分子束外延薄膜生长设备可以在各种衬底材料上实现各种材料薄膜的外延生长工艺,实现分子自装、超晶格、一维纳米线等。
  二、工作条件及主要技术参数输入电压：ac380v（+10%）
最大消耗功率：37 kw（包括烘烤电源30kw）
供电方式：三相五线制
冷却水循环量： 0.8m3/h
工作环境温度： 10℃～40℃
极限真空度： 4.0×10-8pa（外延生长室）
极限真空度： 2.0×10-7pa（样品予备室）
外延生长室样品台加热温度： 室温～1000℃，可控可调（工控机）
进样室样品台加热温度： 室温～800℃，可控可调（工控机）
高温束源炉1、2加热温度：室温～800℃，可控可调（工控机）
高温束源炉3（带水冷）加热温度：室温～1300℃，可控可调（工控机）
烘烤温度：≤200℃
电控柜1、2外形尺寸： 605×600×1950（mm）
电控柜3、4外形尺寸： 600×580×1180（mm）

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