传感器的主要计算公式如下：
npip=nsis； 计算原边或副边电流
vm=rmi； 计算测量电压
vs=rsis； 计算副边电压
va=e+vs+vm； 计算供电电压
其中，e是二极管内部和晶体管输出的压降，不同型号的传感器有不同的e值。这里我们仅以es300c为例，这种传感器的匝数比np/ns=1/2000、标准额定电流值ipn=300a rms 、供电电压va的范围为±12v~±20v（±5%）、副边电阻rs=30ω ，在双极性（±va）供电，其传感器测量量程>100a且无防止供电电源意外倒置的保护二极管的情况下，e=1v。在上述条件下：
（1）给定供电电压va，计算测量电压vm和测量电阻rm：
假设：供电电压va=±15v
根据上述公式得：
测量电压vm=9.5v；
测量电阻rm=vm/is =63.33ω；
副边电流is=0.1。
所以当我们选用63.33ω的测量电阻时，在传感器满额度测量时，其输出电流信号为0.1 ，测量电压为9.5v。
（2）给定供电电压和测量电阻，计算欲测量的峰值电流；
假设：供电电压va=±15v，测量电阻rm=12ω，
则：vm+vs=（rm+rs）×is =va-e=14v
而：rm+rs=12w+30w=42w，
则zui大输出副边电流： a
原边峰值电流：ipmax=ismax（ns/np）=666a
这说明，在上述条件下，传感器所能测量的zui大电流即原边峰值电流为666a。如果原边电流大于此值，传感器虽测量不出来，但传感器不会被损坏。
（3）测量电阻（负载电阻）能影响传感器的测量范围。
测量电阻对传感器测量范围也存在影响，所以我们需要精心选择测量电阻。用下式可计算出测量电阻：其中，vamin—扣除误差后的zui小供电电压；
e—传感器内部晶体管的电压降；
rs—传感器副边线圈的电阻；
ismax—原边电流ip为zui大值时的副边电流值。
另外我们可以通过下式确认所选传感器的稳定性。
如果vamin不符合上式，则会造成传感器的不稳定。一旦出现这种情况，我们可以有以下三种方法克服：
1）更换电压更大的供电电源；
2）减小测量电阻的值；
3）将传感器更换成rs较小的传感器。
例如，某种型号的电流传感器，其标准额定电流ipn=1000a，匝数比np/ns=1/2000，e值为1.5v，副边电阻rs=30ω，测量电阻rm=15w，用15v电源单极性供电。则va=30v（单极性供电是双极性供电的2倍）， 而：
is=ip×np/ns =0.
vs=rs×is=15v
vm=rm×is=7.5v
通过以上检验，可知这种传感器在此条件下测量能保证稳定性。它所能测量的原边电流的zui大值（即测量范围）
传感器市场发展前景
一些传感器市场比如压力传感器、温度传感器、流量传感器、水平传感器已表现出成熟市场的特征。流量传感器、压力传感器、温度传感器的市场规模zui大，分别占到整个传感器市场的21%、19%和14%。传感器市场的主要增长来自于无线传感器、mems（micro-electro-mechanicalsystems，微机电系统）传感器、生物传感器等新兴传感器。其中，无线传感器在2007-2010年复合年增长率预计会超过25%。
目前，的传感器市场在不断变化的创新之中呈现出快速增长的趋势。有关专家指出，传感器领域的主要技术将在现有基础上予以延伸和提高，各国将竞相加速新一代传感器的开发和产业化，竞争也将日益激烈。新技术的发展将重新定义未来的传感器市场，比如无线传感器、光纤传感器、智能传感器和金属氧化传感器等新型传感器的出现与*的扩大。