nec电子开发出了采用铜通孔（用于连接铜布线）的熔丝技术（演讲序号2.5）。nec电子计划将该技术导入07年年底开始量产的55nm工艺lsi中，促进制造成品率的提高。由于该项技术“可用于多种工艺”（nec电子执行董事福间雅夫），因此还计划将其用于45～32nm工艺及其以后的工艺。
准备导入32nm以后的新材料
此次开发的采用铜通孔的技术，其特点是熔丝的可靠性较高。电气特性方面，断线前后铜通孔的电阻比高达107，即使加热，熔丝也不会再次连接，将保持这一电阻比。原因是层间绝缘膜因铜通孔的热膨胀而开裂，被势垒金属（barriermetal）包围的区域内的铜原子向开裂方向移动，这样一来通孔区域就可产生较大的空孔。
熔丝技术使集成在芯片上的元件带有冗长性，电气分离在检查阶段被判定为劣质的元件，然后用正常元件替换。nec电子06年开发出了基于铜布线的熔丝技术，现已导入量产。此次将熔丝替换为通孔，是因为设想以32nm以后工艺导入的带有金属盖的铜布线，难以作为熔丝使用。金属盖是防止产生电子迁移的保护膜，有了这层保护膜，即使向铜布线输入大电流，也不易产生电气切断。
现行的熔丝技术，大多使用mosfet栅电极的超薄硅化物（silicide）薄膜，不过在整个栅电极中使用金属的32nm以后工艺，难以电气切断栅电极。nec电子开发的基于铜布线和铜通孔的技术，将成为熔丝技术在32nm以后工艺中的替代方法。