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新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE6
2025/11/11 13:42:38发布
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描述
nce6080a采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的rds(on)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
-vds = 60v, id = 80a
rds(on)<6.3mω @ vgs=10v
rds(on)<7.8mω @ vgs=4.5v
-高密度电池设计,超低rds(on)
-全特性雪崩电压和电流
-稳定性好,均匀性好,eas高
-优良的包装,散热性好
应用
-pwm
-负荷开关
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