加工定制否 | 品牌TE/泰科 |
型号thisis型号 | 工作电压thisis工作电压V |
压着出力压着出力1680kgs | 外形尺寸外形尺寸3542mm |
重量重量6682kg | 规格规格6608 |
易失性存储器(dram和sram)
易失性存储器测试起来是***简单的,因为它无需特殊算法或时序就可进行多次擦写。一般是所有器件先同时写入,然后轮流选中每个器件,读回数据并进行比较。
由于在老化时可重复进行慢速的刷新测试,因此dram老化测试能够为后测工艺节省大量时间。刷新测试要求先将数据写入存储器,再等待一段时间使有缺陷的存储单元放电,然后从存储器中读回数据,找出有缺陷的存储单元。将这部分测试放入老化意味着老化后的测试工艺不必再进行这种很费时的检测,从而节省了时间。
并行测试法
并行测试是在老化过程中进行器件测试***快的方法,这是因为有多条信号线连在器件的输入输出端,使数据传输量达到,i/o线的输入端由系统测试部分控制。并行测试有三种基本方式:各器件单引脚信号返回和多引脚信号返回。
·多引脚信号返回 该方法和单引脚信号返回类似,但是从每个器件返回的信号更多。由于每个器件有更多信号返回线,所以这种方法要用到多个返回监测线路。而又因为必须要有大量返回线路为该方法专用,因此会使系统总体成本急剧增加。没有内部自检而且又非常复杂的器件可能就需要用这种方法。
采用这种方法时,jtag测试端口和整个系统必须要设计到器件的内部。器件上用于jtag测试的电路属于专用测试口,用来对器件进行测试,即使器件装在用户终端系统上并已开始工作以后,该测试口还可以使用。一般而言,jtag端口采用很长的串联寄存器链,可以访问到所有的内部节点。每个寄存器映射器件的某一功能或特性,于是,访问器件的某种状态只需将该寄存器的状态数据串行移位至输出端即可。
采用同样技术可完成对器件的编程,只不过数据是通过jtag端口串行移位到器件内部。ieee 1149.1的说明里详细阐述了jtag端口的操作。