三*管是用来做驱动的作用，
因为在一般的控制器输出驱动能力较弱，采用三*管进行放大电流，
使得能够驱动能力提高。
当然如果在数码管可接受的范围内，电流越大，数码管越亮。
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igbt的驱动电路特点（一）
igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双*型晶体管，电动驱动ic，是由bjt(双*型三*管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有mosfet的高输入阻*和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
输出特性与转移特性：
igbt的伏安特性是指以栅*电压vge为参变量时，集电*电流ic与集电*电压vce之间的关系曲线。igbt的伏安特性与bjt的输出特性相似，驱动ic，也可分为饱和区i、放大区ii和击穿区iii三部分。igbt作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。igbt的转移特性是指集电*输出电流ic与栅*电压之间的关系曲线。它与mosfet的转移特性相同，当栅*电压vge小于开启电压vge(th)时，igbt处于关断状态。在igbt导通后的大部分集电*电流范围内，ic与vge呈线性关系。
igbt与mosfet的对比：
mosfet全称功率场效应晶体管。它的三个*分别是源*(s)、漏*(d)和栅*(g)。
主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
led器件对驱动电源的要求几乎是苛刻的，与普通白炽灯泡不同的是，led可以与220v交流电力直接连接。发光二*管是低电压驱动，需要设计复杂的转换电路，led灯有不同的用途，电源适配器也有不同的配置。一个好的电源设计必须综合考虑各种因素，大功率驱动ic，如效率转换，有效功率，驱动ic排名，恒流精度，电源寿命，电磁兼容性等，因为电源在整个灯具中的作用如同人的*一样重要。