igbt是insulated gate bipolar transistor（绝缘栅双型晶体管）的缩写，igbt是由mosfet和双型晶体管复合而成的一种器件，其输入为mosfet，输出为pnp晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
可知，若在igbt的栅g和发射e之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电c与基之间成低阻状态而使得晶体管导通；若igbt的栅和发射之间电压为0v，则mos截止，切断pnp晶体管基电流的供给，使得晶体管截止。igbt与mosfet一样也是电压控制型器件，在它的栅g—发射e间施加十几v的直流电压，只有在ua级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
igbt模块的选择
igbt模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当igbt模块集电电流时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗使原件发热加剧，因此，选用igbt模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗发热加剧，选用时应该降温等使用。