*微电子研究所刘明团队在1mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。以rram和mram为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案。刘明团队在rram方向具有长达10年的研究积累，于2015年开始联合中芯、国网智芯等单位，以产学研合作方式共同推进rram的实用化。经过两年多的努力，在中芯28nm平台上完成了工艺流程的开发与验证，并在此基础上设计实现了规模为1mb的测试芯片。
(a)28nm rram 1mb芯片版图；(b)28nm rram单元tem界面图
垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3d-xpoint以及3d-nand两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上(iedm 2015 10.2、vlsi 2016 8.4)实现了8层结构的设计，进一步验证了rram三维结构微缩至5nm以下的可能性。
8层堆叠rram截面图
相关研究成果分别以 beol based rram with one extra-mask for low cost, highly reliable embedded application in 28 nm node and beyond 和 8-layers 3d vertical rram with excellent scalability towards storage class memory applications 为题在2017年电子器件大会上进行了汇报发言。(原标题：微电子所阻变存储器集成应用研究获进展)