kri离子源在 ibsd 离子束溅射沉积应用通常安装两个离子源主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体基板远离溅射目标工艺压力在小于× 10-4 torr
离子源在离子束溅射沉积工艺过程:
上海伯东美国kri 射频离子源优势提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜远离等离子体: 低基材温度不需要偏压衬底溅射任何材料, 不需要射频溅射电源非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备清洁, 低污染工艺沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量离子能量, 离子电流密度的控制优良的反应沉积工艺美国krirficp射频离子源技术参数：
型号
rficp 40
rficp 100
rficp 140
rficp 220
rficp 380
discharge 阳极
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
离子束流
>100 ma
>350 ma
>600 ma
>800 ma
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
4 cm φ
10 cm φ
14 cm φ
20 cm φ
30 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直径
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
lfn 2000
上海伯东美国 kri射频离子源rficp 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.上海伯东是美国kri 离子源中国总代理.上海伯东同时提供溅射沉积系统所需的涡轮分子泵,真空规,高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专li. 离子源广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域.若您需要进一步的了解kri射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生