光触媒光催化氧化是以n型半导体的能带理论为基础,半导体材料具有与金属不同的不连续能带结构,一般由填满电子的低能价带和含有空穴的高能导带构成,价带和导带之间存在禁带。当用能量等于或大于禁带宽度(又称带隙)的光照射时,价带上的电子(eˉ)会被激发跃迁至导带,在价带上产生相应的电子空穴(h+)并在电场的作用下分离迁移到表面。[3]
热力学理论表明,分布在表面的光生空穴因具有很强的吸电子能力,可将吸附在tio2表面上的oh-和h2o分子氧化成羟基自由基等。羟基自由基的氧化能力强,可强效分解各种具有不稳定化学键的有机化合物和部分无机物,将其最终降解为h2o、co2等无害的小分子物质,并可破坏细菌的细胞膜和凝固病毒的蛋白质载体。