地点：国外某品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：
因高压差分探头测试半桥上管vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试
测试探头：麦科信oip系列光隔离探头现场条件因该氮化镓快充pcba设计密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是方案的同轴延长线连接（通常推荐采用mcx母座连接，可最大限度减少引线误差）。现场连接图如下：
▲图1：接线
现场测试步骤1.将探头连接10x衰减器，并将衰减器插入同轴延长线；2.将oip探头连接示波器第4通道并开机；3.将示波器对应通道衰减比设置10x，将输入电阻设置为50ω；
4.给目标板上电；
▲图2：测试场景1
▲图3：测试场景2
测试结果1.vgs控制电压5.1v左右，信号光滑无任何畸变；2.上管关断瞬间负冲0.5v左右，在氮化镓器件安全范围；3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2v左右，在氮化镓器件安全范围；4.vgs信号上升时间240ns左右。
（以上数据通过截屏读数）
▲图4：测试结果截屏结论1.目标板设计合理，vgs控制信号近乎可以；2.测试显示vgs信号无任何震荡，共模干扰被全抑制；3.oip系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管vgs，没有引起炸管。