如果把分立元件电路中的半导体器件、电阻、电容及导线等都制造在一个半导体基片（通常是硅片）上，构成一个完整的电路，封装在一个管壳内，就是集成门电路。基于半导体工艺的特点，集成电路中管子制造较容易，占芯片面积小，但电容和高阻值电阻制造较困难，占芯片面积较大。因此，在数字集成电路中，一般都避免使用电容和高阻值电阻，往往多用管子。
数字集成电路可以分成两大类：一类以双极型晶体管为基本器件，称为双极型数字集成电路，属于这一类的有ttl等；另一类以 mos晶体管为基本器件，称为 mos型（或单极型）数字集成电路，属于这一类的有 nmos和cmos等。详见表
数字集成电路按半导体器：
按照集成度（即每一片硅片中所含元、器件数）的高低，可将集成电路分成小规模集成电路（small scale integration,简称ssi），中规模集成电路（ medium scale integration,简称msi），大规模集成电路（ large scale integration，简称lsi）和超大规模集成电路 (very large scale integration，简称vlsi)。
1．ttl集成与非门电路结构
电路组成:ⅰ:输入级 v1多发射极管
ⅱ:中间级(倒相级) v2 r2 r3
ⅲ:输出级 v3 v4为射极输出器与v5构成推拉式输出级
2．工作原理 ①输入有低电平0.3v时，k点电位为1v，v 1导通，v2、 v5截止，v3 、v4导通。（f为3.6v高电平。）
②输入全为高电平3v，则k点电位3.7v，在三个pn结的钳制下，v k=2.1v，v1 集电结正偏，发射结反偏。
r1处于倒置工作状态（b反）r 1 v5-饱和，m点电位1v，则v 3——微通，v 4——截止（则f=0.3v 低电平）
由①、②得f=
3．电压传输特性和噪声容限 a．电压传输特性
工作区
1，ab段:ui <0.6v 且uo=uoh
2，de段：ui >1.5v 且uo=uol饱和区
线形区
3，bc段：0.6v<ui<1.3v 则ui↑uo↓（ v5截止）
转折区4。cd段：1.3v<ui<1.5v ui↑uo ↓
（利用之可构成振荡电路。如产生矩形波）
b．关门电平、开门电平和阈值电压
（1）关门电平
在保证输出为标准高电平u sh ( 常取ush＝3v）时，允许输入低电平的最大值称为关门电平 ,用uoff表示。由上图可得u off≈1.0v。显然，只有当输入u i＜uoff 时，与非门才关闭，输出高电平。
（2）开门电平
在保证输出为标准低电平u sl（常取usl＝0.3v）时，允许输入高电平的最小值称为开门电平，用 uon表示。由上图可得u on≈1.2v。显然，只有当u i＞uon 时，与非门才开通，输出低电平。
（3）阈值电压
工作在电压传输特性转折区中点对应的输入电压称为阈值电压，又称门槛电平。
3．噪声容限搞干扰能力
vnl（低电平噪声容限）= voff－vil
vnl（高电平噪声容限）= vih－von