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利用辉光放电原理将ya气分解为ya离子，ya离子经过阳*电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，聚焦离子束刻蚀机工作原理，然后由栅*将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。
湿法刻蚀
湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是：湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀优点是选择性好、重复性好、生产、设备简单、成本低。
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离子束刻蚀机
离子束刻蚀机由真空室、工作台、快门、真空抽气系统、供气系统、水冷系统、电源和 电器系统等主要部分组成，聚焦离子束刻蚀机原理，图1-1所示为离子束刻蚀机的工作原理图。该机在正常工作 时，首先将真空室的压力抽至2×10-3pa或更低，再调节ar气流量，使真空室压力保持 在1×10-2~2×10-2pa(如需要辅助气体，如o2、ch2等，则可按一定比例与之混合)，聚焦离子束刻蚀机报价， 然后启动离子源各电源，使离子源正常工作，从离子源引出一定能量和密度的离子束 被中和器发射的电子中和后，轰击工件进行溅射刻蚀。
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