可控硅模块
1、触发电路的问题
如果要让可控硅模块触发导通，除了要有足够的触发脉冲幅度和正确的极性以外，触发电路和可控硅阴极之间必须有共同的参考点。有些电路从表面看，触发脉冲被加到可控硅的触发极g，但可控硅模块的阴极和触发信号却无共同参考点，触发信号并未加到可控硅模块的g—k之间，可控硅模块不可能被触发。
2、电感负载的应用
可控硅模块用于控制电感负载，譬如电风扇、交流接触器、有变压器的供电设备等，则不同。因为这种移相式触发电路，可控硅模块在交流电半周持续期间导通，半周过零期间截止。当可控硅模块导通瞬间，加到电感负载两端电压为交流电的瞬时值， 有时可能是交流电的大值。根据电感的特性，其两端电压不可能突变，高电压加到电感的瞬间产生反向自感电势， 反对外加电压。外加电压的上升曲线越陡，自感电势越高，有时甚至超过电源电压而击穿可控硅模块。因此，可控硅模块控制电感负载，首先其耐压要高于电源电压峰值1.5 倍以上。此外，可控硅模块两电极间还要并联接入rc尖峰吸收电路。常用10— 30ω/3w 以上电阻和 0.1—0.47uf/600v 的无极性电容。
交流调功电路中，可控硅模块是在交流电过零期间所关断的， 从理论上来讲，关断时候的电流变化状况是零，没有感应电压的产生。加入rc尖峰抑制电路，目的是为了抑制可控硅模块导通时的自感电势尖峰。如果不加入电路，不但可控硅极易击穿，负载电路的电感线圈也会产生匝间、或电机绕组间击穿，这个点是不能忽视的。