缺点1、化学抛光的质量不如电解抛光。2、化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难，在应用上受到限制。3、化学抛光操作过程中，散发出大量黄棕色*气体，对环境污染非常严重。4、抛光溶液的使用寿命短，溶液浓度的调节和再生比较困难
化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳*区，形成局部短路的微电池，使阳*发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴*区，进行的电解，因此效果更好。
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是*其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（cmp chemical mechanical polishing ）取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，除磷剂，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，化拋剂销售，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
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