工作原理：
igbt由三个区域组成：n型区（n-drift区）、p型区（p-base区）和n+型区（n+源区）。在正向电压作用下，当集电极（p区）和发射极（n+区）之间施加正向电压，导致p-n结反向偏置，使得p区形成了一个正向导通的通道。同时，控制栅极（mosfet部分）施加一定的电压，控制通道导电性。当栅极施加一定的正向电压时，形成n+区和p区之间的二极管截止，从而阻断电流。而当栅极施加一定的负向电压时，形成n+区和p区之间的二极管导通，导通电流。
作用：
1. 开关功能：igbt能够实现高频的开关操作，用于控制高功率电路，如电机驱动、电源逆变器等。在导通状态下，igbt的电阻很小，可以承受较大电流；在截止状态下，能够完全断开电流。
2. 放大功能：igbt的三极结构类似于bjt，因此在一些应用中，igbt可以作为放大器使用。
3. 节能功能：igbt的开关速度快，转换效率高，可以减少功率损耗，提高系统的能量转换效率。
4. 控制性能：igbt通过控制栅极电压，可以精确地控制电流的大小，从而实现对功率器件的控制。
igbt在现代功率电子领域应用广泛，特别是在工业驱动、电源转换、电动汽车、ups（不间断电源）等领域发挥着重要作用。