vdd 之后是跳线。 vcc和vdd是器件的供电端，vcc是双极性器件的正极，vdd多是单极性器件的正极。 vcc为电路供电电压，vdd为芯片工作电压，vss为接地点。
有些ic同时有vdd和vcc引脚，说明器件本身具有电压转换功能。此时vdd只为设备内部的数字或模拟系统供电，而vcc则为外设和内部系统供电。所以vcc 的电压必须高于vdd。
在场效应晶体管（或cmos器件）中，vdd是漏极，vss是源极，vdd和vss指的是元件引脚，不是电源电压。
vcc来源于集电极电源电压，一般用于双极型晶体管。 pnp三极管是负电源电压，有时标为-vcc，npn三极管是正电压。
vdd来源于漏极电源电压，用在mos管电路中，一般指正电源。由于pmos管很少单独使用，所以在cmos电路中vdd常接在pmos管的源极上。
vss源电源电压是指cmos电路中的负电源，单电源时指零伏或地。 vee 发射极供电电压，一般用于ecl电路的负供电电压。 vbb 双极晶体管共基极电路的基极电源电压。
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