鉴别三极方法
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据p-n结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个p-n结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个p-n结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在r*10或r*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
1、栅极上的噪声电平：在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过vgt，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后g与mt1之间加一个1kω的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。
2、关于转换电压变化率：当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题，可以在端子mt1和mt2之间加一个rc网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100r，电容取100nf。值得注意的是此电阻不能省掉。
3、关于转换电流变化率：当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况最易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率dvd/dt：在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的vdfm的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在mt1和mt2间加一个rc缓冲电路来限制vd/dt，或可采用高速可控硅(晶闸管)。
5、关于连续峰值开路电压vdrm：在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压vdrm的值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
上海萱鸿电子科技有限公司主要包括功率模块、igbt模块、可控硅、整流桥、二极管、igbt单管igbt驱动电路和驱动板、单三相整流桥模块、ipm模块、pim模块、gtr达林顿模块快恢复二极管、肖特基二极管、保险丝、熔断器、气动元件平板可控硅、zp型普通整流管、zk型 快速整流管、kp型普通晶闸管、ks型双向晶闸管、kk型快速晶闸管、kg型高频晶闸管、桥式整流器。主要经营品牌包括:英飞凌、欧派克、日本三社、ixys艾赛斯、西门康、富士、三菱、新电源、东芝、ir、摩托罗拉、西门子、美国巴斯曼、法国罗兰等功率模块。
艾赛斯ixys半控可控硅模块：