在这些测量中，经常需要在磁场的某一范围内提供足够的细度，以观察在此范围内材料特性的突变，例如钕铁硼呈现的矩形磁滞回线（m-h）中磁矩 m 的快速下降。类似突变可能出现于强磁场下，并由于斜率陡峭而需要足够小的磁场步进，以尽可能多的获取有效测量点。
为达此目的，除必须使用高设置分辨率的励磁电流源外，还需使用具有测量分辨率足够高的高斯计。3位半产品*高可分辨满量程的 1/2000，例如在 20000g 量程下分辨率为 10g。在很多测量应用中，10g分辨率过于粗糙，并使得有效测量点密度过低，造成曲线中出现明显的阶梯，或错失大量有用的细节信息。
乐真科技的4位半高斯计产品，*高可分辨满量程的 1/30000，即可在 30000g 强磁场中观测 1g 的微小变化，从而提供更细致的测量曲线，为测量者提供 10 倍的细节，并揭示更完整的材料性质。