直流高压发生器正朝着大电流、高电压、快通断、功耗小、易维护、模块化方向开展直流高压发生器，随着半导体元件制作工艺的完善和制作技术的进步。现已呈现了双极性晶体管gp功率场效应管mosfet功率绝缘栅控双极性晶体管igbtigbt晶体管是集gp与mosfet二者长处于一体的复合器材，既有mosfet输入阻抗高、速度快、开关损耗小、驱动电路简单、要求驱动功率小、极限作业温度高、易驱动的特点安稳运转直流高压发生器的方法，又具有功率晶体管gp通态电压低、耐压高和电流容量大的长处，为电压控制通断的自关断器材，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常作业于数十khz频率范围内，功率元件igbt正日益广泛地应用于体积小、噪音低、功能高的变频电源及大功率的沟通伺服电机的调速系统中直流高压发生器，较高频率的大、应用中占有了主导地位，并已开端在上述领域中替代功率双极性晶体管gp和功率场效应管mosfet中。与gp和mosfet相同，igbt应用的关键问题是驱动电路和维护电路，本文依据在实践作业中对igbt应用讨论有关igbt驱动及维护问题。
电力电子行业占有相当大的比重。现在介绍开关电源电磁兼容的文章很多，小功率反激电源作为市场上为成熟的电源之一。不过考虑到市场化，小功率反激电源只用一级emi滤波，无散热片，还有很重要的一点，要考虑可生产性。这与单纯的电磁兼容研讨有很大差异。
一个是由封装上外表传到空气中，集成电路的热阻和晶体管的热阻大至相同、集成电路(ic散热首要有两个方向。另一个则是由ic向下传到pcb板上，再由板传到空气中。当ic以天然对流方法传热时，向上传的部分很小直流高压发生器，而向下传到板子则占了大部分，以导线脚或是以球衔接于板上的方法，其具体的散热形式不尽相同。但这会添加制作本钱和复杂性。封装热阻的改善手段首要可透过结构设计、材料性质改变以及外加散热增进设备三种方法、其间影响较大的加装散热器。
直流高压发生器贴片电感具有以下特点：
1、平底外表合适外表贴装。
2、异的端面强度杰出之焊锡性。低阻抗之特点。
3、具有较高q值。
4、低漏磁。耐大电流之特点。便于自动化安装5、可提供编带包装。一般功率电感和大电流电感的差异：别的它还有以下特点大电流电感具有一切smd功率电感的特点。
直流高压发生器电感线圈运用粗痛线和扁平线绕制具有以下特点：
1、耐大电流。可耐大电流，较高可承受80a 电流具有很好的密封性和高安稳性。
2、高安稳性、大电流电感选用全封闭磁屏蔽结构。
3、适用范围广、大电流电感具有*的耐侯性、能够用于电脑主板、显卡等这些长时间作业的设备上。滤波电路等,而一般的功率电感只能用做dc-dc模块、尽管所起到作用是相同的可是大电流电感所承当的职责比一般功率电感要大的多。具有*的安稳性,现在许多电脑主板厂家都在开发运用大电流电感组列作成的滤波电路。
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