npn型硅bjt的输出特性如图所示。由图可见，在输出特性的起始部分曲线很陡,当vce超过某一数值（约1v）后，特性曲线变得比较平坦，且间隔基本均匀。输出特性是形状基本相同的曲线族。
在输出特性的起始部分曲线很陡，vce略有增加时，ic增加很快，这是由于在vce很小时（约1v以下），集电结的反向电压很小，对到达基区的电子吸引力不够，这时ic受vce的影响很大。vce稍有增加，ic随vce的增加而增加。
当vce超过某一数值（约1v）后，特性曲线变得比较平坦。这是由于vce大于1v以后，集电结的电场已足够强，它能将发射区扩散到基区的电子几乎都收集到集电区，故vce再增加，ic就增加不多了,曲线变的平坦。
改变ib的值，即可得到一组输出特性曲线。由式ic=bib可知，在vce大于零点几伏以后，输出特性是一组间隔基本均匀，比较平坦的平行直线。