虽然目前的ssd可以通过堆叠die层数来增加单颗颗粒的容量，但随着层数的增加，所需的tsv数量也会增加，制造难度呈线性上升。不仅良品率无法保证，生产成本也很高。一些技术深厚的存储厂商已经开始探索新一代的非易失性存储器。
除了英特尔不为人知的3d xpoint闪存外，还有热销的reram，它是一种非易失性存储器，以电阻值记录数据。具有单位面积容量大，读写速度快的特点。经过几年的研究，mobiveil和crossbar将推出基于reram技术的ssd，为存储市场增添新的活力。
reram其实是一种忆阻器模型，一种全新的可以描述电荷与磁通量关系的元件，是一种具有记忆功能的非线性电阻。它不仅可以记忆流过自身的电荷量，还可以通过控制励磁源的电流或磁通量来改变自身的电阻值，而且这种电阻值的变化可以长期持续保存当电源关闭时。
单个忆阻器实际上是一个三层结构的条形器件，包括上下电极和中间的开关层。对电极施加不同的电压值，可以改变中间特殊结构的电阻值，从而实现数据存储。功能（电阻值代表0/1或更多位数据）。其稳定性非常好，具有普通闪存颗粒所不具备的超宽温度耐受值，-40-125。一百万次读写循环后，数据可在85c下保存10年不消失。
而且，这种长条状结构很容易形成大规模阵列。简单的结构使得存储容量和密度远超现有闪存技术，轻松实现tb级存储颗粒。
此外，由于其结构简单，其主控开发也变得异常简单。现有的mobiveil的nvme、pcie、ddr3/4主控都可以很好的适配reram架构。
不过，mobiveil 和crossbar 表示，reram ssd 并不打算改变现有ssd 的名称，因为它至少在短期内不是民用消费级，而是一种商业应用解决方案，因为目前，虽然reram ssd 已经率先级性能指标，生产成本非常高，甚至比nv-dimmm还贵，就像intel的optane都是亏本卖的。
因此，mobiveil和crossbar与intel 3d xpoint闪存驱动器optane拥有相同的reram销售方向和潜在客户，并积极开发能够平衡价格和性能的产品，以推动公司的持续发展。
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