hakuto离子蚀刻机10ibe技术参数:
基板尺寸
< ф8 x 1wfr
样品台
直接冷却（水冷）0-90度旋转
离子源
16cm考夫曼离子源
均匀性
±5% for 4”ф
硅片刻蚀率
20 nm/min
温度
<100
hakuto离子刻蚀机10ibe离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的考夫曼离子源kdc 160
伯东美国kri考夫曼离子源kdc160技术参数：
离子源型号
离子源kdc 160
discharge
dc热离子
离子束流
>650 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
16 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
2-30 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
中和器
灯丝
hakuto离子刻蚀机10ibe真空腔采用pfeiffer涡轮分子泵hipace 700,可抽的真空度< 1 · 10-7hpa,良好的保持真空腔的真空度.
采用hakuto离子刻蚀机10ibe可以去除损伤层,保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论,请参考以下联络方式:
上海伯东:罗先生