igbt模块是由igbt（绝缘栅双极型晶体管芯片）与fwd（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
东芝igbt模块主要有两大特性，一种为静态特性，另一种为动态特性，让我们一起来看看这两者的区别。
1、静态特性：1）伏安特性：是指以栅源电压ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线，输出漏极电流比受栅源电压ugs的控制，ugs越高，id越大。它与gtr的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的igbt，正向电压由j2结承担，反向电压由j1结承担。如果无n+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入n+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了igbt的某些应用范围。
2）转移特性：是指输出漏极电流id与栅源电压ugs之间的关系曲线。它与mosfet的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压ugs(th)时，igbt处于关断状态。在igbt导通后的大部分漏极电流范围内，id与ugs呈线性关系。栅源电压受大漏极电流限制，其理想值一般取为15v左右。
2、动态特性：动态特性又称开关特性，igbt的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间，另一个是开关过程中的损耗。
作为新型电力半导体场控自关断器件，东芝igbt模块集功率mosfet的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发igbt的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。