可控硅的结构和性能
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由p型硅和n型硅组成的四层p1n1p2n2结构.它有三个pn结（j1、j2、j3），从j1结构的p1层引出阳极a，从n2层引出阴级k，从p2层引出控制极g，所以它是一种四层三端的半导体器件.
它是由四层半导体材料组成的，有三个pn结，对外有三个电极：一层p型半导体引出的电极叫阳极a，第三层p型半导体引出的电极叫控制极g，第四层n型半导体引出的电极叫阴极k。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极g，这就使它具有与二极管*不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的p1n1p2n2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管t，又因为晶闸管初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅scr.
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称死硅)更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用.
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等.
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通