（1）漏源击穿电压udss
udss常为结溫在25~150℃之间时漏源极的击穿电压。该参数限制了mosfet的工作电压，常用的mosfet的udss通常在1000v以下，尤其以500v及以下器件的各项性能。需要注意的是常用的mosfet的漏源击穿电压具有正酿系数，因此在温度低于测试条件时，udss值会低;于产品手册数据。
（2）漏极连续电流额定值id和漏极脉冲电流峰值idm
这是标称电力mosfet电流定额的参数，一般情况下:idm是id的2-4倍。工作温度对器件的漏极电流影响很大，产品的生产厂商通常也会给出不同壳温下，允许的漏极连续电流变化情况。在实际器件参数计算时，必须考虑其损耗及散热情况得出壳温，由此核算它的电流定额。通常在売温为80~90℃，器件可用的连续工作电流只有tc=25℃时 额定值id的60%~70%。
（3）漏源通态电阻rds（on）
该参数是在栅源间施加一定电压 (10~15v )时，漏源间的导通电阻。漏源通态电阻rds（on）直接影响器件的通态压降及损耗，通常额定电压低、电流大的器件rds（on）较小。此外，rds（on）还与驱动电压及结温有关。增大驱动电压可以减小rds（on）。rds （on）具有正的温度系数，随着结溫的升高而增加， 这一特性使mosfet并联运行较为容易。
（4）栅源电压ugs
由于栅源之间的sio2绝缘层很薄，当|ugs|＞20v时将导致绝缘击穿。因此在焊接，驱动等方面必须注意。
（5）跨导gfs
在规定的工作点下，mosfet转移特性曲线的斜率称为该器件的跨导。即
（6）极间电容
mosfet的3个电极之间分别存在极间电容cgs，cgd和cds。一般生产厂商提供的是漏源极短路时的输入电容，ciss共源极输出电容coss和反向转移电容crss。它们之间的关系是：
尽管电力mosfet是用栅源间电压驱动，阻抗很高，单由于存在输入电容ciss，开关过程中驱动电路要输入电容冲放电。这样，用作高频开关时，驱动电路必须具有很低的内阻抗及一定的驱动电流能力。