加工定制否	品牌日本NMB/美培亚
型号CWV1-2T	种类称重
制作工艺薄膜	输出信号开关型
材料混合物	材料物理性质半导体
材料晶体结构单晶

前言
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一、cwv1-2t 日本nmb/美培亚称重传感器型号种类
cwv1-2t
ccr1b-500k
ccp1-10t
cmp1-250k
cwv1-5t
ccr1b-1t
ccp1-20t
cmp1-500k
cwv1-10t
ccr1b-2t
ccs1-50t
cmp1-1t
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ccr1-5t
ccs1-100t
cmp1-2t
cwv1-50t
ccr1-10t
ccs1-200t
cmp1-5t
cwv1-100t
ccr1-20t
ccs1-300t
cmp1-10t
二、cwv1-2t 日本nmb/美培亚称重传感器的组成
    传感器一般由三部分组成：敏感元件、转换元件、测量电路组成。
其中，能把非电信息转换成电信号的转换元件，是传感器的核心。敏感元件是传感器预先将被测非电量变换为另一种易于变换成电量的非电量，然后再变换为电量，如弹性元件。因此，并非所有传感器都包含这两部分，对于物性型传感器，一般就只有转换元件；而结构型传感器就包括敏感和转换元件两部分。
测量电路，将转换元件输出的电量变成便于显示、记录、控制和处理的有用电信号的电路。传感器的测量电路，经常采用电桥电路、高阻抗输入电路、脉冲调宽电路、振荡电路等特殊电路。
三、cwv1-2t 日本nmb/美培亚称重传感器退耦电容配置
pcb设计的常规做法之一，是在印刷板的各个关键部位配置适当的退耦电容。退耦电容的一般配置原则是：
a．电源输入端跨接10～100μf的电解电容器。如有可能，接100μf以上的更好。
b．原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pf的瓷片电容。如遇印刷板空隙不够，可每4～8个芯片布置一个1～10pf的钽电容。
c．对于抗噪声能力弱、关断时电源变化大的器件，如ram、rom存储器件，应在芯片的电源线和地线之间直接接入退耦电容。
d．电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。
有些称重仪表厂家为降低成本，往往采用12位脉宽调制方法输出模拟信号，这有几个坏处：1.由于脉冲来自单片机系统，占用晶振资源，往往造成输出模拟值滞后仪表读数很多；
2.低位数的脉宽调制往往在重复性、线性上较差，再加上信号给上位机进行a/d转换又有精度损失，故此方案用于配料精度高场合不可行。uni800称重仪表及tr700称重变送器由于采用16位da转换输出模拟信号而成为较佳的选择。
四、cwv1-2t 日本nmb/美培亚称重传感器死循环或不正常程序代码运行
当然这种死循环和不正常程序代码并非设计人员有意写入的，我们知道程序的指令是由字节组成的，有的是单字节指令而有的是多字节指令，当干扰产生后使得pc指针发生变化，从而使原来的程序代码发生了重组产生了不可预测的可执行的程序代码，那么，这种错误是致命的，它会有可能会去修改重要的数据参数，有可能产生不可预测的控制输出等一系列错误状态。
五、cwv1-2t 日本nmb/美培亚称重传感器对重要参数储存的措施
一般情况下，我们可以采用错误检测与纠正来有效地减少或避免这种情况的出现。根据检错、纠错的原理，主要思想是在数据写入时，根据写入的数据生成一定位数的校验码，与相应的数据一起保存起来；当读出时，同时也将校验码读出，进行判决。如果出现一位错误则自动纠正，将正确的数据送出，并同时将改正以后的数据回写覆盖原来错误的数据；如果出现两位错误则产生中断报告，通知cpu进行异常处理。所有这一切动作都是靠软件设计自动完成的，具有实时性和自动完成的特点。通过这样的设计，能大大提高系统的抗干扰能力，从而提高系统的可靠性。
六、cwv1-2t 日本nmb/美培亚称重传感器干扰措施的软件处理方法
电磁干扰源所产生的干扰信号在一些特定的情况下（比如在一些电磁环境比较恶劣的情况下）是无法完全消除的，***终将会进入cpu处理的的核心单元，这样在一些大规模集成电路常常会受到干扰，导致不能正常工作或在错误状态下工作。特别是像ram这种利用双稳态进行存储的器件，往往会在强干扰下发生翻转，使原来存储的“0”变为“1”，或者“1”变为“0”；一些串行传输的时序及数据会因干扰而发生改变；更严重的会破坏一些重要的数据参数等；造成的后果往往是很严重的。在这种情况下软件设计的好坏直接影响到整个系统的抗干扰能力的高低。