由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻效应。 目前发现的磁电阻效应有：正常磁电阻效应（ omr ）、各向异性磁电阻效应（ amr ）、巨磁电阻效应（ gmr ）、庞磁电阻效应（ cmr ）及隧穿磁电阻效应（ tmr ）等。
本仪器提供三种磁电阻传感器，分别为多层膜巨磁电阻传感器 、自旋阀巨磁电阻传感器、各向异性磁电阻传感器。 帮助学生了解不同磁电阻效应的原理及应用，仪器安全可靠，实验内容丰富。 可用于高校、中专的基础物理实验、近代物理实验及综合性设计性物理实验。
应用本仪器可完成以下实验：
1 ．了解不同磁电阻效应原理，测量不同磁场下三种材料磁电阻阻值 rb ，作 rb/r0-b 关系图，求电阻相对变化率(rb-r0)/r0 的大值；
2. 学习磁电阻传感器定标方法，计算三种磁电阻传感器灵敏度；
3 ． 测量三种磁电阻传感器输出 电压v输出与通电导线电流 i 的关系；
4 ．作自旋阀巨磁电阻传感器磁滞回线。
仪器主要技术参数：
1 ．多层膜巨磁电阻传感器 线性范围 0.15mt － 1.05mt 灵敏度 30.0mv/v/mt － 42.0mv/v/mt
自旋阀巨磁电阻传感器 线性范围 -0.81mt － 0.87mt 灵敏度 13.0mv/v/mt － 16.0mv/v/mt
各向异性磁电阻传感器 线性范围 -0.6mt － 0.6mt 灵敏度 8.0mv/v/mt － 12.0mv/v/mt
2 ．亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数 n= 200 匝，半径 10 cm
3 ．亥姆霍兹线圈用恒流源 输出电流 0 － 1.2a 连续可调
4 ．测量用恒流源 输出电流 0 － 连续可调