该仪器采用流水式测量原理，无热量积累，可长时间连续测量；吸收体与被测激光器形状吻合，无接收死角，测量精度高；抗激光破坏阈值高，光谱响应范围宽。适用于大尺寸环形半导体激光器阵列输出功率的直接测试。流水式探测器设计，适合大功率半导体激光器长时间测试吸收体的表面形状与被测对象吻合，可实现全光束接收抗激光破坏阈值高响应度高、响应速度快、均匀性好光谱响应范围宽便于拆装、操作简单技术参数：光谱响应范围：600nm～1000nm功率探测范围：100w～1500w*大峰值功率密度：≥5kw/cm2光敏面形状：圆柱形光敏面外表面直径：≤8mm光敏面长度：150mm响应时间：≤15s
kpbgs-6341电子薄膜应力分布测试仪该仪器是为解决微电子、光电子科研与生产中基片平整度及薄膜应力分布的测试而设计的。它通过测量每道工序前后基片面形的变化（变形）来测量曲率半径的变化及应力分布，从而计算薄膜应力。广泛应用于半导体器件工艺研究及质量控制，为改善半导体器件可靠性提供测试数据。本仪器适用于测量si、ge、caas等半导体材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、铝等具有一定反光性能的薄膜的应力分布。技术参数：测试硅片尺寸：2～4英寸硅片曲率范围：|r|> 5米测试精度：5%（在r=±8米处考核）单片测试时间：3分钟/片输出结果类型：面形、曲率分布、梯度分布和应力分布图形显示功能：三维立体显示、二维伪彩色显示、统计数据表格电 源：ac 220（1±10%）v，50（1±5%）hz*大功耗：100w外形尺寸：285mm×680mm×450mm重 量：≤36kg