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等离子表面处理器-清洗不同材料需要配合6种常用的气体

2024/3/12 22:40:42发布39次查看
由于其自身的特点,等离子体表面处理器在很多产品生产过程中都有一席之地。在等离子表面处理器的工作清洗过程中,需要配合不同的汽体,以达到很好的等离子体清洗(效)果。根据汽体的不同,较常用的汽体之一是惰性气体氩气(ar),在真空腔清洗过程中,等离子表面处理器与氩气(ar)配合使用往往能有效地去除表面(纳)米级污染物。常用于导线键合、芯片粘接铜导线框架、pbga等工艺。
若要提高物体表面腐蚀(效)果,在等离子表面处理器中将氧气(o2)通过配合氧气(o2)在真空腔中进行清洗,可以有效地去除有(机)污染物,如光刻胶等。氧气(o2)高精度芯片粘接、光源清洗等工艺更为常用。也有很多难以去除的氧化物可以用氢(h2)清洗,条件是在密封性能很好的真空条件下使用。也有很多汽体,如(cf4)和(sf6)。蚀刻和去除有机物的(效)果会更显著。但这类汽体的使用前提是要具有很强的耐腐蚀的气路和空腔结构,而且要带上保护套和手套。第六种常见的汽体是氮(n2)。这类气体主要用于在线等离子体(活)化和材料表面改性。当然,它也可以在真空环境中使用。氮(n2)是提高材料表面渗透性的。
以上就是6种常用的气体,如今等离子表面处理器一般是2路汽体,有时我们会试着让汽体去组合比例配合清洗,以达到不同的(效)果!
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