1. 前言
非易失性存储器（nvm）是一种具有永久性贮存能力的存储器，与传统的易失性存储器（如dram、sram等）不同，nvm存储的信息不会在失去供电时丢失。nvm在数字电子技术领域得到广泛应用，成为了各种电子设备的必备组成部分。本文将从nvm的原理、种类、应用等几个方面对nvm进行详细介绍和分析。
2. 原理
nvm的工作原理主要分为两类：一是通过改变介质的物理状态来存储信息，如eeprom、flash等；二是将电荷存储在介电体中，如fram、mram等。
其中，eeprom（electrically erasable programmable read only memory）是一种可擦写的rom，通常用于存储小量数据，具有高度的可靠性和误码率低等优点。eeprom是一种典型的flash存储器，与flash存储器相比，其擦写速度较慢，但对数据的写入更加灵活。eeprom通常用于存储小数量的数据，如加密密钥等。
flash存储器是一种非易失性存储器，也是eeprom的一种，其最大的特点是可以同时擦写整个块，而不是单个字节。flash存储器适用于高速存储和大容量存储，如手机、usb闪存等。但flash存储器的擦写寿命有限，因此需要使用物理上不同的块不断轮换存储，以避免寿命过早的失效。
fram（ferroelectric random access memory）是一种新型的存储器，它利用铁电材料来储存数据信息，并采用电容的等效替代电路实现存储。由于fram的擦写速度与读取速度同等快速，同时具备前瞻性、高密度、低功耗等特点，在智能电子设备中得到广泛应用。
mram（magnetoresistive random access memory）是一种新兴的高速、高密度和非易失性存储器，其工作原理是通过磁场来控制电荷状态，实现数据的读写和保存。与传统的dram和flash相比，mram的速度更快，且功耗更低。mram的应用领域主要是数据中心、智能手机、计算机存储等。
3. 种类
根据存储器的工作原理、特点和应用，nvm可以分为很多种类。
除了上面提到的eeprom、flash、fram和mram等常见的nvm，还有nvsram（non-volatile static random access memory）、usb(universal serial bus)、sd(secure digital)等。nvsram是一种集成了sram和eeprom功能的存储器，具有快速的读取和写入、非易失性和存储容量较大的优点，一般用于存储关键参数和数据等。usb和sd是一种基于nvm存储的外围设备，通过usb和sd等接口提供了一种便捷的外部存储媒介。
4. 应用
nvm在数字