如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型？

晶体管有两个pn结：发射结和集电结，当工作频率很高时，结电容不能忽略，每个pn结都可以用一个结电阻和结电容并联来等效。按照晶体管的实际结构，考虑发射结和集电结电容后，可得如图1(a)所示的模型，常称为晶体管的物理模型。物理模型中，、分别为集电区和发射区的体电阻，它们的数值很小，实际上可忽略不计。为集电结的反偏电阻，为三极管动态输出电阻，它们通常数值较大，可当作开路。于是可得到如图1 (b)所示的简化混合π模型。
简化混合π模型中，集电结电容横跨在输入和输出两个回路之间，使电路分析很不方便。为此，可通过密勒定理将折合到输入回路的等效电容和输出回路中的等效电容，如图1(c)所示。设（近似为中频时的电压放大倍数），可知，为负值，且。由密勒定理可得
由于输出回路中的等效电容容量很小，它与后面的负载所形成的时间常数也很小，工程计算时常常可忽略。因此简化后的高频小信号模型如1 (d)所示，图中。
图1 三极管的高频小信号模型
(a) 物理模型 (b) 简化混合π模型 (c) 单向化处理 (d) 简化模型

如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型？

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